@ARTICLE{10.21494/ISTE.OP.2021.0600, 

TITLE={Optimisation du comportement thermique du transistor à haute mobilité d’électron (HEMT) par la méthode KA-CMA-ES}, 
  
AUTHOR={Amar Abdelhamid, Radi Bouchaib, El Hami Abdelkhalak, }, 
	
JOURNAL={Incertitudes et fiabilité des systèmes multiphysiques}, 
	
VOLUME={4}, 

NUMBER={Numéro 2}, 
	
YEAR={2021}, 

URL={https://openscience.fr/Optimisation-du-comportement-thermique-du-transistor-a-haute-mobilite-d}, 
	
DOI={10.21494/ISTE.OP.2021.0600}, 
	
ISSN={2514-569X}, 
	
ABSTRACT={L’objectif principale de L’optimisation est d’assurer une conception robuste des systèmes avec un cout minimal, dans ce papier on s’intéresse à l’optimisation du comportement du transistor à haute mobilité d’électrons (HEMT), il est un élément très important dans les systèmes mécatroniques à haute puissance. Il est composé de plusieurs couches de matériaux, les paramètres géométriques et thermiques de ces couches influencent le comportement thermique et notamment la température de fonctionnement du transistor, d’où sur sa performance. La méthode CMA-ES assistée par le krigeage (KA_CMA_ES) codée sur Matlab couplé avec un modèle éléments finis développé sur Comsol multiphysics, ce couplage a permis d’optimiser la structure de transistor afin de réduire sa température maximale du fonctionnement, pour que le transistor assure sa fonction avec moins d’influence sur les autres caractéristiques. Une comparaison entre la méthode KACMAES et CMA-ES a été faite. La méthode KA-CMAES a montré une efficacité en termes de précision et de temps du calcul.}}