@ARTICLE{10.21494/ISTE.OP.2019.0358, 

TITLE={Performances analogiques et RF de MOSFETs SOI complétement désertés}, 
  
AUTHOR={Jean-Pierre Raskin, }, 
	
JOURNAL={Composants nanoélectroniques}, 
	
VOLUME={2}, 

NUMBER={FDSOI}, 
	
YEAR={2019}, 

URL={https://openscience.fr/Performances-analogiques-et-RF-de-MOSFETs-SOI-completement-desertes}, 
	
DOI={10.21494/ISTE.OP.2019.0358}, 
	
ISSN={2516-3914}, 
	
ABSTRACT={Les performances des circuits intégrés RF sont directement liées aux caractéristiques analogiques et haute fréquence des transistors, à la qualité des interconnexions métalliques ainsi qu’aux propriétés électromagnétiques du substrat. Grâce à l’introduction sur le marché du substrat SOI (Silicium sur Isolant) à haute résistivité et riche en pièges, les spécifications des circuits intégrés en termes de linéarité sont satisfaites. Aujourd’hui, le MOSFET SOI partiellement déserté (PD) est la technologie principale des systèmes SOI RF. Les futures générations de systèmes de communication mobiles nécessiteront des transistors offrant de meilleures performances haute fréquence, fonctionnant à une consommation d’énergie inférieure et dans la plage des ondes millimétriques. Le MOSFET SOI entièrement déserté (FD) est un candidat très prometteur pour le développement de ces futurs systèmes de communication sans fil. La plupart des données rapportées sur FD SOI concernent leurs performances digitales. Dans cet article, leur comportement analogique / RF est décrit et comparé aux MOSFETs en silicium massif. Les problèmes d’auto-échauffement, le comportement non linéaire ainsi que les performances haute fréquence aux températures cryogéniques des MOSFETs FD SOI sont discutés. Enfin, un bref résumé des IC publiés aux ondes RF et millimétriques basés sur la technologie FD SOI est présenté.}}