TY  - Type of reference 
TI  - Optimisation thermique du transistor à haute mobilité d’électron (HEMT) par la méthode CMA-ES 
AU  - Amar Abdelhamid 
AU  - Hamdani Hamid 
AU  - Radi Bouchaib 
AU  - El Hami Abdelkhalak 
AB  - L’optimisation vise à assurer une conception robuste des systèmes avec un cout minimal, ce travail s’intéresse à l’optimisation du transistor à haute mobilité d’électrons (HEMT), il est un élément très important dans les systèmes mécatroniques à haute puissance. Il contient dans sa structure plusieurs couches de matériaux, les paramètres géométriques et thermiques de ces couches influencent la température de fonctionnement du transistor, d’où sur sa performance. En utilisant la méthode de CMA-ES codée sur Matlab, un modèle éléments finis développé sur Comsol multiphysics et un couplage entre les deux logiciels, on a optimisé ces paramètres afin de réduire la température maximale du fonctionnement du HEMT, pour que le transistor assurent sa fonction avec moins d’influence sur les autres caractéristiques. 
DO  - 10.21494/ISTE.OP.2020.0570 
JF  - Incertitudes et fiabilité des systèmes multiphysiques 
KW  - Optimisation,  HEMT,  CMA-ES,  systèmes mécatroniques, Optimization,  HEMT,  CMA-ES,  Mecatronics systems,  
L1  - http://openscience.fr/IMG/pdf/iste_incertfia20v4n1_2.pdf 
LA  - fr 
PB  - ISTE OpenScience 
DA  - 2020/09/25 
SN  - 2514-569X 
TT  - Thermal optimization of the high electron mobility transistor (HEMT) using the CMA-ES method 
UR  - http://openscience.fr/Optimisation-thermique-du-transistor-a-haute-mobilite-d-electron-HEMT-par-la 
IS  - Numéro 1 
VL  - 4 
ER  -