@ARTICLE{10.21494/ISTE.OP.2020.0570, 

TITLE={Optimisation thermique du transistor à haute mobilité d’électron (HEMT) par la méthode CMA-ES}, 
  
AUTHOR={Amar Abdelhamid, Hamdani Hamid, Radi Bouchaib, El Hami Abdelkhalak, }, 
	
JOURNAL={Incertitudes et fiabilité des systèmes multiphysiques}, 
	
VOLUME={4}, 

NUMBER={Numéro 1}, 
	
YEAR={2020}, 

URL={http://openscience.fr/Optimisation-thermique-du-transistor-a-haute-mobilite-d-electron-HEMT-par-la}, 
	
DOI={10.21494/ISTE.OP.2020.0570}, 
	
ISSN={2514-569X}, 
	
ABSTRACT={L’optimisation vise à assurer une conception robuste des systèmes avec un cout minimal, ce travail s’intéresse à l’optimisation du transistor à haute mobilité d’électrons (HEMT), il est un élément très important dans les systèmes mécatroniques à haute puissance. Il contient dans sa structure plusieurs couches de matériaux, les paramètres géométriques et thermiques de ces couches influencent la température de fonctionnement du transistor, d’où sur sa performance. En utilisant la méthode de CMA-ES codée sur Matlab, un modèle éléments finis développé sur Comsol multiphysics et un couplage entre les deux logiciels, on a optimisé ces paramètres afin de réduire la température maximale du fonctionnement du HEMT, pour que le transistor assurent sa fonction avec moins d’influence sur les autres caractéristiques.}}